型号:IPB120N06S4-H1 | 类别:FET - 单 | 制造商:Infineon Technologies |
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 |
系列 | OptiMOS™ |
制造商 | Infineon Technologies |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 120A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 2.1 毫欧 @ 100A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 4V @ 200µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 270nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 21900pF @ 25V |
功率_最大 | 250W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装 | PG-TO263-3 |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市芯福林电子科技有限公司 | 张女士0755-82574045 |
深圳市川蓝电子科技有限公司 | 彭小姐0755-82522939 |
深圳市宇明芯科技有限公司 | 李小姐0755-83051566 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
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