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电子元器件详细资料 » IC[21339] » IPB120N06S4-H1
型号:IPB120N06S4-H1类别:FET - 单制造商:Infineon Technologies
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
系列OptiMOS™
制造商Infineon Technologies
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)60V
电流_连续漏极(Id)0a025000C120A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C2.1 毫欧 @ 100A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 200µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs270nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds21900pF @ 25V
功率_最大250W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装PG-TO263-3
包装带卷 (TR)

供应商

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深圳市川蓝电子科技有限公司彭小姐0755-82522939
深圳市宇明芯科技有限公司李小姐0755-83051566
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
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IPB120N06S4-H1相关型号

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